2020. 10. 14. 업데이트

*본문의 내용을 인용하실 때 출처 표기만 부탁드립니다. ^^

위 사진은 여태 안정화 봤던 CPU와 GPU들이다.

지난 8700K 오버클럭 가이드아닌 미립자 팁을 작성한 뒤로 9세대 오버클럭 개념이 어느정도 정돈되어 포스팅하기로 했다.

CPU 오버클러킹보다 램 오버클러킹이 중요한 이유는

오버클럭 시 성능 향상 비중이 램 오버클럭 >>>>>>>>> CPU 오버클럭으로 램 오버클럭이 월등히 높기 때문이다.

해당 가이드를 통한 메모리 오버클러킹 결과는 아래 채널에 게시하고 있다.

Sokdakino's Practical Overclocking: https://www.youtube.com/channel/UCR3OZRM45p5dbAsK_VR_Cog

램 오버클럭

요즘 CPU는 모두 메모리 컨트롤러를 내장하여 출시한다. 이를 IMC(멤컨) 이라고 부른다.

메모리 컨트롤러 수율에 따라 램 오버클럭이 더 들어갈 수도 있고, 덜 들어갈 수 있다.

메모리 컨트롤러가 수율이 좋을 확률은 인텔 시스템에서 평균적으로 i9 i7 i5 순으로 높다.

(추측이지만 i9 불량에서 하이퍼스레딩을 꺼서 i7로, i7에서 불량인 코어 2개 컷팅해서 i5로 보내기 때문이라 생각한다.)

1. 램 타이밍

[그림 1] ASRock Timing Configurator상 표시되는 DDR4 메모리 타이밍

1차 램 타이밍

18-21-21-42 2T

위 숫자는 보통 인텔 시스템에서 램 오버클럭 시 가장 많이 언급되는 형태이며, [그림 1]의 빨간 부분의 설명이다.

타이밍의 순서는 tCL-tRP-tRCD-tRAS CR 순이다. 각 타이밍에 대한 설명은 다른 블로그에서도 잘 되어 있으니 찾아보면 되겠다.

tCL이 가장 많은 성능 향상을 가져오며, 오버클럭 시 사람들이 CL이라고 가장 많이 부르는 타이밍 값이다.

이 값이 보다 낮은 전압에서 많이 조여질수록 고수율의 메모리라고 볼 수 있다.

tRP와 tRCD는 보통 인텔 시스템에서 같은 값으로 입력되며, 두 번째로 성능 향상폭이 크다.

(인텔 보드의 경우 그냥 퉁 쳐져 있어서 같은 값이 입력되며, AMD 시스템의 경우 별도로 설정할 수 있다.)

tRAS 의 경우 수율이 좋지 못하더라도 타이트하게 조여질 수 있는데, 시스템이 불안정해지는 문제가 있다.

최상의 성능을 위한 tRAS 값은 tCL+tRP이나, 안정성을 위해 2++의 갭을 두기도 한다.

CR의 경우는 Command Rate로써 1T로 설정 시 약간의 메모리 대역폭 향상 및 레이턴시 향상을 기대할 수 있다.

단, 4000MHz 클럭 이상에서 1T Mode로의 안정화가 가능은 하나 시도 가능한 메인보드(Z490 Apex)와 메모리(고수율)가 극히 희박하기 때문에,

고클럭 오버클러킹 시에는 2T로 사용하는게 포텐셜을 끌어내기에 더 좋다.

(AMD 시스템의 경우 Geardown Mode를 활성화 한 경우 1T로 보이며, 실제로는 2T로 동작하기 때문에 실제 1T냐, 아니냐에 따라 안정화 난이도가 달라진다.)

수율이 좋은 메모리일수록 tCL과 tRP/RCD의 간격이 좁도록 안정화가 가능하다. 즉, 15-15-15-30 17-17-17-34등의 메모리 타이밍이 가능해 지는 것이다.

그렇다고 18-22-22-42 타이밍이라고 좋지 않은 것은 아니다.

클럭이 높아질수록 보다 낮은 전압에서 안정화 하기 위해 tCL과 tRP/RCD간의 타이밍을 벌려야 한다. 주로 4600++의 XMP메모리에서 보이는 클럭이기도 하다.

왜 이렇게 벌려서 출시하냐는 물음이 있을 수 있다.

앞서 말했다시피, tCL이 가장 많은 성능 향상을 가져오기 때문에 tCL을 극도로 낮춘 다음, tRP와 RCD의 값을 높여 안정성 및 전압 마진을 확보하기 때문이다.

DDR4의 권장 최대 전압 수치는 1.5V이며, 인텔의 XMP 2.0 권장 최대 전압수치도 1.5V이다. 그래서 1.5V에 맞추려고 푸는 것이다.

램을 수냉하거나 스팟쿨링할 수 있다면, 더 넣어서 tCL과 tRP를 동일하게 해줘도 된다.

단, 전압을 퍼준다고 해서 오류 없이 안정화가 된다는 법은 없다. 고전압일수록 메모리 IC가 불안정해지기 때문이다.

[표 1] 1차 램타이밍 추천 프리셋

2차 및 3차(Turnaround) 램 타이밍의 설명

[그림 1]에 있는 파란색 박스 2차와, 갈색 박스 3차 타이밍은 가장 잡기 까다로운 타이밍이라고 볼 수 있다.

1차 램 타이밍까지는 큰 변수가 클럭과 tCL, 전압 정도라면 2차 타이밍 이후는 적어도 10개 이상의 램 타이밍이 인가전압과 안정성에 영향을 미친다.

가장 성능 향상에 큰 영향을 미치는 2차 램 타이밍은 tRFC, tWR, tFAW, tCWL, tWTR 이다.

tRFC의 경우 타이트 할 수록 성능 향상 폭이 커지는데, 그만큼 시스템이 불안정해지는 특징이 있다.

레이턴시와 대역폭 성능 향상에 영향을 끼친다. 보통 부팅되는 값에서 20~50정도 더해서 사용한다.

tWR의 경우 전체적인 대역폭의 높고 낮음에 큰 영향을 끼친다. 이 타이밍과 가장 밀접한 타이밍은 3차 타이밍 항목인 tRDRD, tWRWR이다.

정리하자면, tWR과 tRDRD, tWRWR은 세트 램타이밍이다.

tRDRD/WRWR이 조여진 상태에서 tWR이 풀리면 대역폭이 낮고, 반대의 경우는 tWR이 조여진 만큼 제 성능을 내지 못한다.

ASUS 보드의 경우 tWR 값이 tWRPRE 타이밍과 연동된다.

tWRPRE - 20 = tWR의 공식이 사용된다. (tCWL, tCL과 연관이 있는것 같으나 좀 더 확인이 필요하다.)

tFAW는 타이밍이 줄어들수록 한 번에 처리하는 양이 많아진다고 생각하면 된다.

보통 tRRD_S의 4배~6배 정도로 설정한다. 처리하는 양이 많아지기 때문에 CPU의 발열도 tFAW 48대비 16이 약 20도 더 높다.

tWTR은 레이턴시에 상당한 영향을 끼치며, 3차 tWRRD_sg, dg 타이밍과 연동된다.

ASUS 보드의 경우 tWRRD_sg, dg를 설정해주면 tWTR_S, L 값이 자동으로 설정된다.

tRRD 또한 레이턴시와 읽기 값에 영향을 끼친다.

tRRD_S의 경우 웬만해서는 4로 고정하고, tRRD_L의 경우 tRRD_S보다 같거나 크게 풀어준다.

두 값의 차이가 수율에 따라 2 이상 줄여지지 않을 수 있다.

[표 2] 2차 램타이밍 추천 프리셋

[표 3] 3차 램타이밍 추천 프리셋 (Tight/Extreme: 쿨엔조이 프롬게임시후님 원문 참고)

Latency 램 타이밍의 설명

Latency Timing에는 대표적으로 RTL과 IO-L이 있다.

RTL과 IO-L 값의 차이가 tCL과 램 클럭에 따라 결정된다.

레이턴시 값에 가장 큰 영향을 미친다. 이 값이 Auto나 풀어져 있을 경우 아무리 2, 3차를 조여도 낮은 클럭보다 레이턴시가 안 조여지는 현상이 나타난다.

해외 포럼(hwbot)의 Alex@ro님이 권장하는 방법은 아래와 같다.

1. Initial RTL 값을 부팅 가능한 값 까지 내린다.

2. IO-L Offset CHA/CHB를 1씩 올려가며 최상의 RTL/IO-L 세트를 찾는다.

3. CHA와 CHB의 RTL이 3 이상 벌어지는 경우 램이나 멤컨의 수율이 좋지 못한 것이니 RTL을 풀어서 2 이하로 유지한다.

이 방법은 극한의 메모리 오버클러킹 시에도 사용할 수 있다. (e.g. 4800 CL14)

아래는 필자가 권장하는 방법이다.

1. Auto로 맞추고 부팅되는 값을 찾는다.

2. IO-L과 RTL의 차이를 유지하며 RTL과 IO-L에서 1씩 빼며 부팅 가능한 값 까지 내린다.

(10세대 제외) 3. CHA와 CHB의 RTL값이 서로 같으면, CHB의 RTL/IO-L 세트에 1 더해주거나 CHA의 RTL/IO-L 세트에 1 빼준다.

보통 2, 3차 램타이밍을 모두 잡고 나면 Latency timing이 잡히지 않는 경우가 있다.

그렇기 때문에, 필자의 경우 Latency timing을 1차 타이밍을 설정하고 테스트 후 잡아주고 있다.

[표 4] 3차 램타이밍 추천 프리셋

개인적인 부하 테스트(안정화) 방법을 소개한다.

* 확실한 안정화를 원할 경우 (오래 걸림)

1차 타이밍 최종 안정화는 TM5 (1usmus v3) 20회로 잡아주고, 2차 타이밍부터는 TM5 ADV 5회로 조정하고 HCI MemTest만 2000%씩 돌린다.

TM5는 회차가 늘어날 경우 느려지며 HCI가 더 잘 잡는 경향이 있다. 특히 2000%이상 돌릴 시 확실하다.

팁이라면 TM5의 사이클 프리셋을 5회 20회로 2개정도 만들어 두는 것을 추천한다.

5회 돌려서 오류가 나면 20회 돌렸을때 무조건 나기 때문에 5회차 오류 잡고 20회 돌리는게 시간 절약하기에 좋다.

* 빠른 안정화를 원할 경우 (간단, Runtime Leveling을 이용한 안정화)

모든 순서마다 TM5 ADV 20회를 돌린다. 단, 오래 돌리며 에러번호가 달라지며 에러가 안나는 경우를 캐치해야 한다.

잡히는 메모리 타이밍의 경우 안정화 시 TM5에서 다음과 같은 양상을 보인다. (오류 나옴 -> 번호가 달라짐 -> 에러가 안남)

5회차 이상에서 주기당 1개 미만의 에러율을 보일 때 Leveling*을 위해 TM5를 계속 돌릴 것을 권장한다.

해당 상황 이후, 1회 재부팅 후 TM5 구동 시 오류가 현저히 줄어들어 20회 통과나 1~3회 가량의 에러가 나는 것을 확인할 수 있다.

이때, 오류가 나더라도 소량이므로 다음 단계로 진행하며 오류를 잡는다.

단, 3번까지의 안정화에는 절대 오류가 있어서는 안된다.

베이스 타이밍이기 때문에, 성능 타이밍을 조이지 않았을 때 잡을 수 없는 에러의 경우 이후 단계에서 Runtime Leveling이 불가하다.

오류를 어떠한 방법으로도 잡을 수 없는 경우 해당 1차 타이밍이나 클럭을 포기해야 한다.

최종 안정화는 목적에 따라 HCI나 Karhu의 목표 타이밍까지 세부 타이밍을 조절하며 잡으면 된다.

(보통 TM5 20회 및 링스 10회 통과시, tWR을 2 풀거나 VDDR 전압 +0.02V 이내로 HCI 1000%++ 및 Karhu Memtest 12000%++ 안정화가 가능함)

TestMem5 오류 잡는 방법

전압조정 우선순위: VDDR (최대 1.65) > VCCIO (최대 1.45) > VPPDDR (최대 2.8) > DRAM VTT (VDDR의 1/2 값에서 +- 미세조정)

오류가 더 나면 전압을 더 이상 인가할 수 없으므로 다음 우선순위 전압을 조정하거나, 해당 램 타이밍을 내린다.

VPPDDR, DRAM VTT의 경우 건들지 않아도 안정화가 가능하다. 옵션이 없는 메인보드의 경우 조절 없이 진행하면 된다.

모든 타이밍 값을 시도해도 오류가 잡히지 않는다면 수율의 한계로 생각하고 클럭이나 tCL을 조정한다.

순서가 높아질수록 기존 타이밍에 맞춰서 Leveling이 진행되는데 특히 tRRD나 tRDWR의 경우 건들지 않는 것이 좋다. 메인 램타이밍이기 때문에 맞춘 뒤로 틀어지게 되면 처음부터 다시 안정화를 봐야할 수도 있다. (되던 램타이밍으로도 오류가 나오는 경우가 있음, 쏟아지는 오류 해결 불가)

만약 조절이 필요하다고 판단된다면, 다른 타이밍들의 재조정이 필요할 수 있음을 인지해야 한다.

초고클럭 오버클러킹 시 일반적으로 tWRWR/RDRD_sg, dg 조일 때 많이 좌절한다.

MSI 보드의 경우 VDDR 조정 시 메모리 트레이닝을 다시 진행하게 된다. VDDR은 웬만해서 건들지 않고 안정화를 진행하는 것을 추천한다.

안정화를 위한 램 타이밍 조이는 순서 (2020.10 수정)

1. 레퍼런스를 참고하여 클럭/1차 타이밍/전압을 인가한다.

2. 전압을 더 인가하며 1차 타이밍을 조정하거나 클럭을 조정한다. + RTL 및 IO-L을 함께 최소값으로 잡는다.

3. tREFI를 최대로 두고 tRFC를 잡는다. (B다이 기준 tRFC 400이상 풀어지는 경우 tREFI를 낮은 값으로 조절)

4. tRRD_S와 tRRD_L, tFAW를 잡는다. (tRRD_S는 4로 고정, tRRD_L은 4 이상, tFAW는 CPU 쿨링 상태에 따라 4~8배 권장)

5. tRTP(tRDPRE 연동)와 tCKE를 잡는다.

6. 3차 tRDRD + 3차 tWRWR sg, dg를 잡는다. (tRDRD및 tWRWR dg는 4로 고정, 안정화 안되면 tWR을 푼다.)

7. tWTR을 잡는다. (3차 tWRRD_sg, dg 값과 연동)

9. tRDWR_sg, dg, dr, dd를 10부터 1씩 증가시키며 잡는다.

10. tWR을 12부터 내려서 잡는다. (tWRPRE값과 연동, 원하는 셋팅에 따라 16부터 내려도 됨)

11. dr, dd 램타이밍 한 세트 당 3, 4에서 1씩 늘리며 잡는다. (혹은 1, 1셋팅부터 시작해도 됨)

ASUS 보드는 tWRRD_sg, dg로 tWTR을, tWRPRE로 tWR을, tRCPRE로 tRTP를 설정 할 수 있으며, 타 보드들은 tWTR을 잡으면 tWRRD_sg, dg가 자동으로 설정된다.

안정화가 귀찮다면 1, 2번과 tRFC, tRDRD/tWRWR_sg, dg(풀어진 경우에만 해당)만 잡아주어도 된다. 단, 풀 타이트 셋팅보다는 성능이 떨어진다.

*tWRWR_sg, dg의 권장 최대 값은 7, 4이다. (수동 6, 4 설정 시 성능 향상)

인텔 10세대에만 해당되는 메모리 오버클러킹 방법 (CPU 오버클러킹 관련 설정은 모두 Auto)

1. 메모리 클럭과 1차 타이밍을 넣고 아래에서 해당 클럭에 맞는 SA/IO 레퍼런스를 넣는다.

* SA/IO를 Auto 로 두고도 안정화가 불가능 한 경우에 해당되며, Auto 안정화 가능할 시 2번 부터 진행한다.

[표 6] Z390 APEX VCCSA/VCCIO 레퍼런스

2. TM5 1~3회로 오류 안나는 램전압을 잡는다.

3. 링스 0.9.6 or 0.9.7 메모리크기 4096 20회로 잔차 흔들리지 않는 최소 SA/IO 값을 잡는다.

4. TM5 돌리며 세부 램타이밍 조절 (가이드 및 순서 참고)

5. 링스 메모리크기 11264 20회로 sa/io 찾기

6. 메모리 오버클러킹 안정화 완료

TM5 ADV4 1회차 실행 시의 상태를 통해 알아보는 전압 상태 (ASUS 및 MSI 기준)

1. 초기에 오류가 매우 많이 뜸 (블루스크린 동반) - VDDR 적정 전압값 벗어남 (너무 낮거나 너무 높음)

2. 초기에 오류가 5~6회 동반되며 약간씩 오류 발생 (블루스크린 동반) - SA/IO 부족 혹은 VDDR 전압 부족

3. n번 테스트에서 n번 테스트 오류 혹은 0번 오류 발생 - VDDR 미세 부족 혹은 VPPDDR 부족

4. 14번, 7번 테스트에서 오류 발생 - VPPDDR 부족 혹은 VDDR 부족. VDDR을 인가해도 해결이 불가능할 경우 tWR 풀기

5. 5회 넘어서 n회차 테스트에서 오류 발생 - 온도 문제 혹은 VDDR 소폭 부족

*SA/IO의 경우 2번 상태가 나타나지 않는 전압을 기준으로 0.01v 더 인가해주면 된다.

*Leveling 현상의 유무는 메인보드마다 상이하다.

2. 램 오버클럭 시 알아두어야 할 점

멤컨과 메모리 오버클러킹의 상관 관계

램과 보드, CPU의 3개의 변수가 메모리 오버클럭 수율이 좋을 확률에 영향을 끼친다.

메모리 > 메인보드 > CPU IMC 순으로 적당한 메모리 오버클러킹 수율에 영향을 끼친다. (한계치 오버클러킹의 경우 메모리와 IMC 수율이 가장 중요)

만약 1.5V에 6000MHz 클럭에 CL14가 들어가는 말도 안되는 좋은 메모리가 있다고 가정을 해보자.

같은 CPU여도 6000MHz를 다 못 뽑아낼 수도 있고, CL14 타이밍이 안 들어갈 수 있다.

보통 9900K기준 멤컨이 실사용 기준 평균인 경우 클럭은 4400++에서, CL17 타이밍 정도로 TestMem5를 이용해 안정화가 가능하다.

실사용 기준 멤컨이 가장 좋은 수율의 9900K 최대 메모리 오버클럭은 4800MHz CL16 정도 일 것이다.

메인보드를 예시로 들더라도, 가장 좋은 멤컨을 가진 9900K가 Z390 익스트림 4보드에서는 4200MHz CL16 정도가 한계일 것이고,

Z390 XI APEX 보드에서는 4800MHz CL16 정도가 한계일 것이다.

요약하자면, 4400MHz 클럭에 CL17 정도 사용하려면 CPU 메모리 컨트롤러는 그닥 걱정하지 않아도 된다는 이야기다.

그 구간에서는 메인보드와 메모리 수율이 메모리 오버클럭에 영향을 더 많이 끼친다.

현재 시판되는 DDR4 메모리의 수율 특성

현재 판매되고 있는 DDR4 메모리들의 수율 특성으로 타이밍 수율과 클럭 수율, 전압 수율이 따로 작용한다.

타이밍 수율이란 관련된 메이저 램타이밍들이 얼마나 타이트하게 들어가느냐 (tWR / tWTR / RTL-IOL / tRRD_L)를 의미한다.

클럭 수율이란 최대 클럭 수율을 의미하며, 전압 수율의 경우는 얼마나 고전압에서 오류발생이 적은지에 대한 수율 특성이다.

전압 수율의 경우 판별하기 어려울 수 있는데, 그 이유는 tCL과 tRP/RCD의 간격을 늘려주는 경우 안정화가 가능한 경우도 있기 때문이다.

그러나 전압의 임계점까지 굴리는 메모리 오버클러킹의 경우는 보통 스트레이트 타이밍을 많이 선호하기 때문에, 임계전압 한도 내에서 사용하는 편이다.

CPU의 멤컨 수율을 최대로 사용하려면?

CPU의 멤컨 수율과 램의 수율을 최대로 사용하려면 DRAM Trace가 클리어한 메인보드를 사용해야 한다.

시중이 나와있는 검증된 메인보드들(Z390 팬텀 게이밍 ITX, Z390 게이밍 엣지 ITX, Z390 갓라이크, Z390 막시 11 에이펙스 등)이 있다.

위 보드들은 대부분 CPU의 멤컨 한계까지는 끌어줄 수 있는 메인보드이다.

팬텀 게이밍 ITX의 경우는 약간 못미치는 경향이 있는데, 클럭이 4500MHz로 제한되어 있는지 위로는 절대 올라가지 않는 단점이 있다.

그래도 레이턴시가 타 보드 대비 좋다는 장점이 있고, 바이오스의 메모리 트레이닝 기능(MRC 및 알고리즘) 튜닝이 잘 되어 있어 3차 타이밍도 덜 풀어진다.

이 보드를 사용하고 4500MHz 클럭에서 CL값을 극도로 조여준다면, 초고클럭 메모리 오버클러킹(4700++) 시스템과 비등한 성능을 보여주기도 한다.

메모리 오버클러킹에서의 VCCIO와 VCCSA의 영향성

시스템의 BIOS에 들어가 보면, VCCIO(I/O Voltage)와 VCCSA(System Agent Voltage) 값이 있다.

VCCSA는 메모리 클럭에 따라 필요한 전압의 양의 변동이 크며, 부팅 가능한 최소 값에서 +0.01V 정도만 인가하면 TM5와 HCI Memtest를 통과한다.

고클럭으로 갈수록, 멤컨의 한계에 가까워질수록 부팅/TM5/HCI/LinX에서 요구하는 전압의 격차가 높아지니 참고하면 좋다.

VCCIO는 적정선에 맞춰주지 않으면 LinX의 GFlops 값이 출렁이며 너무 낮아도, 너무 높아도 LinX의 잔차가 튄다.

CPU 오버클러킹 및 주변기기에 변동이 생기면 메모리 오버클러킹으로 안정화 봤던 VCCSA와 VCCIO의 수정이 필요한 경우가 있으니 참고해야 한다.

또한, 4500++ 급의 메모리 오버클럭을 계획하고 있는 경우에는 메모리 컨트롤러의 수율을 신경써야 한다.

해당 값들은 멤컨의 수율에 의해 결정되며, 고전압이 인가될수록 불안정하게 메모리를 컨트롤하는 문제점이 있다.

전압을 많이 넣어주고, 쿨링이 잘 되면 안정화가 가능할 수도 있지만 실사용 환경에서는 불가능하다.

보통 4400MHz 클럭 CL17에서 VCCIO가 1.3V이내로 안정화가 가능해야 그 윗 클럭으로의 오버클럭이 안정적으로 가능할 것이다.

초고클럭(4700++) 메모리 오버클러킹

여기서부터는 보드가 잡아주는 Auto값의 VCCSA와 VCCIO는 CPU 오버클럭 시 변경해야 LinX가 정상적으로 돈다는 점이 특징이다.

특히나, 한계 수율에 다다른 멤컨의 경우는 BIOS 부팅 조차 힘들어 수동으로 인가해서 부팅해야 한다.

4700MHz 클럭이나 4800MHz 이상의 초고클럭 안정화에 대한 이야기가 국내/해외를 막론하고 거의 없는 듯 하다.

개인적으로 4700MHz의 경우 VCCIO의 Auto 값이 1.45V 미만으로 들어와야 실사용이 가능할 거라 생각한다.

바이오스에서 1.45V를 넘어가서 인가하면 TestMem5이 20주기가 넘어가더라도 50주기 돌리면 한 두개씩 오류가 튀어 나온다 ㅡ.ㅡ

물론 4800MHz도 1.45V이내로 끊어주는게 좋은 torture test 결과를 얻을 수 있을 것이다.

VCCIO 값이 낮기만 해야 되는게 아니다. VCCSA의 경우도 램 초고클럭 오버클러킹 시 상당히 많이 인가된다.

나의 CPU의 경우 4800을 넣으면 VCCIO 1.45V, VCCSA 1.6V이 들어간다. 실사용으로는 그닥 좋은 수치는 아니다.

풀뱅(Full-bank; CPU가 지원하는 메모리 개수를 모두 채우는 것) 메모리 오버클러킹

힘들다. 레이턴시도 2개 램에 비해 늘어지는 경향을 보인다.

쿼드킷 4000 CL17 메모리를 사더라도 멤컨 수율을 타기 때문에 드물지만 XMP가 안먹는 경우도 종종 발생한다.

쿼드킷 32GB 오버클러킹과 듀얼킷 32GB 오버클러킹은 마음에 드는 쪽으로 진행하면 된다.

메모리와 멤컨이 괜찮다면 4000MHz 클럭 까지는 실사 가능한 경우가 있는데, 후자의 경우 10세대에 들어서면서부터 성능이 매우 크게 향상되었다.

10세대에서는 32GB 듀얼킷 메모리에서 4000이상의 메모리 오버클러킹 성능을 기대할 수 있다. (4400 안정화 사례 있음) 

멤컨의 수율이 모자른지 메모리의 수율이 모자른지 모르겠어요

이 부분에 대한 자세한 실험을 하기 위해 가지고 있는 Z390 APEX 보드, 고수율 램과 9600KF를 이용하여 확인했다.

9900K에서는 해당 조합으로 1.595V에 4700MHz 16-16-16-32가 가능한 메모리이며, 9600KF는 그냥 뽑아봤는데 뿔딱이 걸렸다. ㅡ.ㅡ;;

보통 멤컨이 뿔딱이라면 클럭 한계점부터 오기 시작한다. 특정 클럭 이상부터는 Q-Code 23, 55가 연속으로 뜬다.

이 때는 RTL과 IO-L을 잡아주고 3차 타이밍까지 잡더라도 부팅이 정말이지 힘들다.

메모리 오버클러킹을 클럭 기준 최대한 땡기고 안정화를 확실히 보았을 때,

CPU 오버클럭 관련 항목을 건드렸을 때 부팅이 되지 않는다면 100% 멤컨의 수율이 부족한 것이다.

정상작동 최대 전압(1.595V)까지 남은 마진이 꽤 되는데도, 뽑은 9600KF로는 4300MHz CL16이 최대 오버클럭 수치였다. (1.43V)

4400MHz CL16까지는 안정화가 가능하나, CPU Cache 배수와 IA 배수, CPU 전압을 올리기만 하면 윈도우 부팅 시 BSOD가 난다.

결국 구매한 9600KF의 메모리 최대 부팅 클럭은 4500MHz, 안정화는 4300MHz으로 일단락 지었다.

*위 항목에 언급했다시피, VCCIO가 4400MHz 오버클럭 시 Auto 값으로 1.3V이상 인가되는 경우가 멤컨 수율이 부족한 것이라 짐작할 수 있다.

흥미로운 사실이지만 문서작업용 컴퓨터의 G5400이 4800클럭 부팅, 4666클럭 안정화가 가능한 데에 비해

9600KF에서는 불가능한 것으로 보아 하급 제품이라고 멤컨의 수율이 더 좋지 않다는 것은 잘못된 상식이다. (좋지 않을 확률이 높은 것)

메모리 트레이닝, 런타임 레벨링*은 무엇이고, 효과가 있나요?

Apex보드나 Unify ITX 보드 기준 LinX나 TM5를 오래 돌릴 경우 초기에는 에러가 발생하는 램타이밍에도 불구하고 에러가 점점 줄어들다 나지 않는 경우가 있다. 필자는 이를 Runtime Leveling 혹은 Runtime Calibration 현상이라고 칭한다.

쿨엔조이 오버게시판에 흔히 이야기되는 메모리 트레이닝은 MRC를 지칭하는 것이 아니고, Runtime Leveling을 지칭하는 것이다.

메모리 트레이닝, 즉 MRC는 메인보드가 메모리를 인식하고 해당 메모리에 맞게 각종 Parameter들을 Calibration하는 과정으로 혼동없기 바란다.

MRC Fastboot 항목을 Disable하는 경우 매 부팅마다 메모리 트레이닝이 진행된다. Auto시 메모리 타이밍 변경시에만 트레이닝이 진행된다.

Runtime Leveling 옵션은 BIOS에 각각 Voltage Centering 및 JEDEC Leveling 옵션에 해당한다.

런타임 레벨링이 진행되기 위해서는 해당 메모리의 헤드룸이 있어야 한다. 그렇지 않으면 쏟아지는 오류를 잡을 수가 없다.

즉, 레벨링은 최상의 시그널 상태(최대 성능)를 갖도록, 각종 파라미터를 메인보드가 자동으로 조절하는 과정이라고 보면 편하다.

*M/B BIOS 엔지니어가 아니기 때문에 정확한 로직이나 명칭은 알 수가 없으나, 메모리 오버클러킹을 진행하며 해당 현상을 계속 겪고 있기 때문에 이에 기반하여 추측함.

3. 메모리 오버클러킹을 하기 위해 무엇을 사야 하는가?

메모리

삼성 B다이가 최고다. 기억해야 한다. B다이!!

아래 소개하는 메모리들은 모두 "기대" 수율이다. 메모리 모듈마다 수율 편차가 있어 좋은 제품이 있을 수 있고 안좋은 제품이 있을 수 있다.

최고의 수율 ($500~): 4600 CL18 이상의 XMP를 지원하는 메모리 (5000 CL18 커세어 벤전스 - 하이닉스 DJR 모듈 등)

최고의 가성비와 수율 ($380): 4800 CL18 트라이던트Z 로얄 (20.06 기준)

상급 수율 (~$400): 트라이던트Z 네오 3600 CL14 (1.4V, 1.45V 아님), 4000 CL17 (1.35V), 4000 CL15 (1.5V)

수율 뽑기 (~$200): 3200 CL14 (로얄/네오/플레어/립죠스) 및 3600 CL15 / 팀다크프로 3200 CL14

오버클럭 마진이 가장 좋은 메모리는 삼성 B다이를 탑재한 메모리이며, 최근에는 D다이 또한 상급수율이 나온다고 한다.

(삼성 B다이가 탑재된 메모리 중 가장 가성비 좋다고 알려진 G.SKILL 3600 CL15 메모리에 고수율 D다이가 탑재되기도 한다.)

3200 CL14 메모리의 경우 지스킬 기준 로얄 = 네오 >= RGB/노말/플레어/립죠스 순으로 좋다.

메모리 Trace를 줄이기 위해 최신 고수율 메모리들은 A2 PCB를 채택하고 있다.

A2 PCB는 Trace를 극도로 줄여 고클럭에는 유리하나 모듈 간 간격이 넓어 레이턴시가 A1 PCB에 비해 미세하게 떨어진다.

단, 일반 사용자가 신경 쓸 만큼 성능에 영향을 끼치는 부분은 아니다.

로얄과 네오가 A2 PCB 10 레이어를 사용하여 생산하고, RGB/노말의 경우 A2 사례와 A1 사례 둘다 있다.

기타 립죠스나 에이지스, 플레어 등의 저가형 메모리에는 A2 PCB가 들어가지 않고, A1 혹은 A0이나 3200CL14 메모리의 경우 A2 PCB를 채택한다.

Team Dark Pro 3200 CL14 메모리의 경우 가장 좋은 가성비를 보여주고 있는데 이 또한 A2 10 레이어로 알려져 있다.

최근 생산되는 3600 CL15 메모리의 경우 A2 10레이어 기판이며 3200 CL14 제품의 기판과 동일한 베이스 PCB를 채택했다.

10레이어/8레이어 간은 랜덤 발송인지 모르겠으나, 3600 CL15를 3개째 18년도 1번 (8), 19년도 1번 (10), 20년도 1번 (10) 구매했다.

타이푼 버너에서는 D다이 인 경우도 있고, B다이 인 경우도 있는데 필자의 경우 B혹은 D다이로 표기되어서 바로 뜯어보았고 B다이 IC(B-BCPB)로 보였다.

구매할 때 참고하여 구매해야 한다.

메인보드

인텔 CPU의 오버클러킹은 Z 시리즈 칩셋을 장착한 메인보드라면 가능하지만, 오버 포텐셜이 보드마다 다르다.

메모리 개수에 따라 추천 보드를 아래와 같이 정리했다.

메모리를 하나만 장착해서 사용한다 (메모리 1개)

단일 메모리는 레이턴시는 좋으나 대역폭면에서 매우 큰 손실이 있기 때문에 사용을 권장하지 않는다.

메모리는 무조건 같은 용량을 듀얼 채널 이상으로 구성하는 것이 좋다.

수율 테스트를 위해서 하나만 장착하는 경우가 있으며, 실사용은 듀얼 채널 이상으로 사용한다.

듀얼킷 메모리를 사용할 예정이다 (메모리 2개)

쿼드킷 메모리를 사용할 예정이다 (메모리 4개)

평범하게 오버클러킹하고 풀뱅해서 쓰고 싶다면 Z390 타이치, Z390 XI HERO/CODE/FORMULA (4000++)

풀뱅으로 램과 보드, CPU의 포텐셜을 모두 뽑길 원한다면 Z390 갓라이크 (4400++)

듀얼킷 메모리 두 세트보다 쿼드킷 한 세트가 오버클러킹 헤드룸이 크니 구매시에 참고하면 좋다. (서로 다른 두세트는 XMP 보장도 안됨)

대체적으로 2슬롯 보드가 램 오버클러킹 포텐셜이 높은 점을 참고하여 구매하면 도움이 될 것이다.

*아쉽게도 인텔 HEDT 라인업은 사용할 기회도 없고, 계획에도 없어서 추천하기 어려워 적지 않았다.

*10세대 제품의 경우 오버클러킹 샘플이 쌓이면 현재 데이터에 추가 예정 (간단 후기: https://blog.sokdak.me/41)

CPU

적당한 메모리 오버클러킹을 계획한다면 이 부분은 크게 신경쓰지 않아도 된다.

단, 풀뱅으로 적당한 오버클러킹을 계획한다면 멤컨의 수율도 어느부분 작용한다.

가끔씩 4500++이 안되는 CPU도 있다. 안타깝지만 사용하려면 뽑기 모드에 돌입해야 한다.

보시다 내용에 문제가 있거나 질문이 있으시면 편하게 댓글 주세요. :-)

작업용 컴퓨터를 맞추기 위해 CPU를 뽑았는데 나름 수율이 괜찮은게 걸렸다.

클럭 4400MHz CL17 램 오버클럭 뒤 CPU 전압 1.275V에 50배수 45캐시 LinX 0.9.3 벤치마크가 돌아가는 제품이었던 것..

그런데 EVGA CLC280 쿨러로는 너모나 뜨거운 9900K의 발열을 감당할 수 없었던 것이 화두...

갬성의 50배수를 박아서 써보겠다는 강력한 의지...!!! (누가 말렸어야...ㅜㅜ)

정신을 차려보니 부품이 전부 다 도착했다. (지갑이 웁니다 엉엉ㅜㅜ)

사실 제일 문제는 포세이돈이었다... 외장라디에이터를 1차 예판때 덥썩 구매해버린 찰나, 반 강제로 커스텀 수냉을 한 셈

그래도 수냉 한 김에 싹다 수냉을 하자는 마인드로... CPU 수냉, 그래픽카드 수냉, 램도 수냉블럭 씌워버렸다.

호스는 EK에서 나온 ZMT 호스를 사용했는데, 중국산 호스 커터로 잘라도 커팅 잘 된다.

근데 ZMT 호스에 바로우에서 나온 컴프레션 피팅을 체결할 때 너무 힘들었다ㅠ 손가락의 지문이 다 사라질 정도...

그래서 보면 덜조인게 은근 많이 보인다.

이렇게 1차 수냉시스템을 완성했다.

CPU블럭 - RAM블럭 간에 단차가 안맞아서 270도 빙 돌려버려서 너무 안이뻤다....ㅜㅜ

그래서... 다시 계획해서 도전!!

이번에는 직각으로 잘 뽑아서 이쁘긴 한데.. 흠 뭔가 맘에 안든다...

여전히 270도를 돌려버리니 유량감소가 있는건 여전해서... 30mm 연장피팅을 구매해서 다시 작업해보았다.

짜잔.. 드디어 최종적으로 깔끔한 시스템 완성!!

외장 라디에이터와 본체의 이동을 위해 본체 부분에 QDC (Quick-disconnect Connector)를 장착해주었다.

눈물의 수건신공... 혹시 누수되면 그래픽카드가 저세상에 가버리는 부분이니까ㅎㅎ

사진은 누수테스트를 하지 않고 컴퓨터를 켠 상태여서 수건을 받쳐놓았다.

누수테스트는 펌프에 파워만 따로 인가하고 진행하는 것을 추천. 현재는 수건을 치운 상태이다!!

이 과정에 조금 안타까운 일이 생겼다. CPU가 죽어버렸고... 고이 묻어주면서 새 친구를 입양했다.

9세대 CPU 뚜따 및 코어갈이는 신중히 하자...

기존 일체형 수냉이나 공랭의 경우에는 열이 케이스에서 방출되는 구조라서 쉽게 냉각되기 어려운데,

외장 라디에이터를 달아버리니 온도가 쉽게쉽게 내려간다.

그래서 최종적으로 커스텀 수냉으로 얻은것은.. 갬성의 51배수!!

CPU오버클럭이 끝난 후 그래픽카드 오버도 진행해보았다.

5700XT 레퍼런스가 기본으로는 27.5K정도 나오는데 실사용 가능한 수준에서 안정화를 보니 29.6K가 나온다.

1080TI 급 파스 점수다. 물론 아키텍쳐가 다르다보니 파스 점수 비교는 무의미하지만 말이다.

<54배수 50캐시 AIDA64 메모리 벤치마크 결과>

보너스로 커스텀 수냉 한 겸사겸사 내 CPU 수율이 어느정도 되는지 테스트해보았다.

나름 괜찮은 수율인 것 같아서 기분이 좋다.

이제 컴퓨터는 업그레이드고 뭐고 건들지 않고 5년은 쓸 생각이다...

커스텀 수냉에 최고급 그래픽카드 1대 값이 들어가버렸기 때문이다.

수로만 안터지면 최고의 시스템이지 않을까 싶다. 애정과 시간과 돈을 너무 많이 쏟아버렸기 때문ㅜㅜ

최종 수로 구성 모습이다. (Bitspower 14mm 카본동관 이용)